電子在電場的（de）作用下加速飛向基片的過程中與（yǔ）氬原子發生碰撞,電離出大量的氬離子（zǐ）和電子,電子飛向基片.氬離（lí）子在電場的作用下加（jiā）速轟擊靶（bǎ）材,濺射出大（dà）量的靶材原子,呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜.二次電子在加（jiā）速飛向基片的過程中受到磁（cí）場洛侖磁（cí）力的影響,被束縛在*近靶麵的等離子體區域（yù）內,該區域內等離子體密度很高,二次電子在磁場（chǎng）的作用下圍繞靶麵作圓周運動,該電子的運（yùn）動路徑很長,在運動過程中不斷的與氬原子（zǐ）發生（shēng）碰撞電離（lí）出大（dà）量的氬離子轟擊靶材,經過多次（cì）碰撞後（hòu）電子的能量逐漸（jiàn）降低,擺脫磁力線的（de）束（shù）縛,遠離靶材,最終沉積在基片（piàn）上.

        磁控濺射就是以磁（cí）場束縛和延長電子的運動路徑,改（gǎi）變電子的運動（dòng）方向,提高工作氣體的電離率和有效利用電子的能量.

       電子的歸宿不僅僅是基片,真空室內壁（bì）及靶源陽極（jí）也是電子歸宿.但一般基片與真（zhēn）空室（shì）及陽極在同一電勢.磁場與（yǔ）電場的交互作用（E X B shift）使單個電子（zǐ）軌跡呈三維螺旋（xuán）狀,而不是僅（jǐn）僅在靶麵圓周運動.至於靶麵（miàn）圓周（zhōu）型的濺射輪廓,那是靶源磁場磁力線（xiàn）呈圓周（zhōu）形狀（zhuàng）形狀.磁力線分布方向不同會對成膜有很大關係.

       在E X B shift機理下工作的不光磁控濺射,多弧鍍靶源,離子源,等離子源等都在次原理下工作.所不同的是電場方向,電壓電（diàn）流（liú）大小而已.