偏壓（Bias)是指在鍍膜過程（chéng）中施加在基體上的負電壓。偏壓電源的正（zhèng）極（jí）接到真空室上，同（tóng）時真（zhēn）空室接地，偏壓的負極接到工件上。由於大地的電壓一般認（rèn）為是零電位，所以（yǐ）工件（jiàn）上的（de）電壓習慣說負偏（piān）壓，簡稱偏壓（yā）。

負偏壓的作用
提供粒子能量；
對於基片的加熱效應；
清除基（jī）片（piàn）上吸附的氣體（tǐ）和油（yóu）汙等（děng），有利於提高膜（mó）層結合強度；
活化基體表麵（miàn）；
對電弧離（lí）子鍍（Arc Ion Plating)中的大顆粒有淨化作用；

偏壓（yā）的分類
根據波形可分為：
直流偏壓
直流脈（mò）衝偏壓
直流疊（dié）加脈（mò）衝偏壓
雙極（jí）性脈衝偏壓

直流偏壓和脈衝偏壓的（de）比（bǐ）較

傳統的電弧離子鍍是在基（jī）片台上（shàng）施加直流負偏壓控製離（lí）子轟擊（jī）能量, 這種沉（chén）積工藝存在以下缺點:
        基體溫升高, 不（bú）利於在回火溫度低（dī）的基體上沉積硬質膜。
        高（gāo）能離子轟擊造成嚴重的濺射, 不能簡單通過提高離子轟擊能量合成高反應閾（yù）能的硬（yìng）質薄膜。
直流偏壓電弧離子鍍工藝中,為（wéi）了抑（yì）製因離子對基體表麵連續轟擊而導致的基（jī）體溫度過高,主要（yào）采取減少沉積功率、縮短沉積時間、采用間歇沉積方（fāng）式等措施來降低沉積溫度（dù），這些措（cuò）施可以（yǐ）概（gài）括地稱為能量控製法'這種方法雖然可以降（jiàng）低沉積溫度,但也使薄膜的某些性能下降,同時還降低了生產效率和薄膜質量的穩定性，因此,難以推廣應用。
脈衝偏壓電弧離（lí）子鍍工藝中,由（yóu）於離子是以非連續的脈衝方式轟擊基體表麵,所以通過調節（jiē）脈衝偏壓的占空比（bǐ）,可改變基體內（nèi）部與表麵之間的溫度梯度,進（jìn）而改變（biàn）基體內部（bù）與表麵之間熱的均衡補償效果,達到調控沉積（jī）溫度（dù）的目（mù）的。這樣就可以把施加偏（piān）壓的脈（mò）衝高度與工件溫度獨立分（fèn）開(互不影響或影響很小)調節,利用高壓脈衝來獲得高能離子的轟擊效應以改善薄膜的（de）組織和性能,通過降低占空比來減小離子轟擊的總加熱效應以（yǐ）降低沉積溫度。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜層的影響（xiǎng）機（jī）製是很複雜的，下麵列（liè）出了一些主要影響，可以根據自己的使用工藝（yì），觀（guān）察總結，就可以很快摸清偏壓對膜層的影響規律。
        膜層結構、結晶構造取向、組織結（jié）構
        沉積速率
        大顆粒淨化
        膜層硬度
        膜層致密度
        表麵形貌
        內應力

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