真空蒸發鍍膜（mó）是（shì）指在真空條件下，通過蒸（zhēng）發源加熱蒸發（fā）某種物（wù）質使其沉積在基板材料表麵來獲得薄（báo）膜的一種（zhǒng）技（jì）術。

被蒸發的物質（zhì）被稱為（wéi）蒸（zhēng）鍍材料。蒸發鍍膜最早由（yóu） M.法拉第在 1857年提出，經過一百多年的發展，現已（yǐ）成為主流鍍膜技術之一。

真空蒸發鍍膜係統一般由三個部分組成：真空室、蒸（zhēng）發（fā）源或蒸發加熱裝（zhuāng）置、放置基板及給基板（bǎn）加熱裝置。

在真空中為（wéi）了蒸發待沉積的材料，需要容器來支撐或盛裝蒸發物，同時需（xū）要提供蒸發熱（rè）使蒸發物達到足夠高的溫度以產（chǎn）生所需的蒸汽壓。

真空蒸發鍍膜技術具有簡單便利（lì）、操作方便（biàn）、成（chéng）膜速度（dù）快等特點，是應用廣泛的鍍膜技術，主要應用於光學元器件、LED、平板顯示和半導體分（fèn）立器的鍍膜。

真空鍍膜材料按照化學成分主要可以分為金屬/非金屬顆粒蒸發料，氧化物蒸發料，氟化（huà）物蒸（zhēng）發料等。