磁控濺射（shè）具有以下兩大優點：提高等離子密度，從而提高濺射速度；減少轟擊零件的電子數目，因而降（jiàng）低了基材因電（diàn）子轟擊的升溫。

因此，該技術在薄膜技術中占有主（zhǔ）導地位。磁控濺（jiàn）射陰極的最大缺點：使用（yòng）平麵靶材，靶材在跑道區形成濺射溝道，這溝道一旦貫（guàn）穿靶（bǎ）材，則整塊靶材即（jí）報廢，因而靶材的利用率（lǜ）隻有（yǒu）20-30%。

不過，目前為了避（bì）免這個缺點，很多靶（bǎ）材采用圓（yuán）柱（zhù）靶材（cái）形式，靶材利用率得以大幅度提高。