直流磁控濺射： 直（zhí）流磁控濺射是在直流二級濺射的基礎上，在（zài）靶材後麵（miàn）安（ān）防磁鋼。可（kě）以用來濺射沉積導電膜，而且沉積（jī）速度快；

但（dàn）靶材若為絕緣體（tǐ）的話，將會迅速造成靶材表麵電荷積累，從而導致濺射無法進行。所以對於純金屬靶材的（de）濺射，均采用直流磁控濺射，如濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁（cí）控濺射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧化（huà）物、碳化物等，將少許反（fǎn）應（yīng）性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一起輸入到真空腔中，使反應氣體與靶材原（yuán）子一起於基材上沉積。

對於一些不易找到的塊材料製（zhì）成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成分易偏離原靶材成（chéng）分，也可通過反應沉積來（lái）獲得改善。